半导体内载荷子特征参数增至7个

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  科技日报北京10月14日电(记者刘霞)半导体是如今你你这种电子时代的基础,但半导体内的电子电荷还有所以秘密有待揭示,这限制了该领域的进一步发展。最近,一1个 国际科研团队称,大伙儿儿在避免哪几种已延续140年的物理学谜题上取得重大突破。大伙儿儿研制出一种新技术,可获得更多有关半导体内电子电荷的信息,有望推动半导体领域的进一步发展,使大伙儿儿儿获得更好的光电设备等。

  为了真正理解半导体的物理性质,首先非要解其內部载荷子的基本底部形态。1879年,美国物理学家埃德温·霍尔发现,磁场会偏转导体内载荷子的运动,偏转量可测为垂直于电荷流的电压(霍尔电压)。但是,霍尔电压可揭示半导体内载荷子的基本信息:是带负电的电子还是名为“空穴”的带正电的准粒子、载荷子在电场中的移动下行传输速率 “迁移率”(μ)、在半导体内的密度(n)。此后,研究人员意识到可用光进行霍尔效应测量。

  但上述土方法非要提供占多数的载荷子的信息,无法一块儿提供一种载荷子(多数和少数)的底部形态。而对于一些涉及光的应用,同类太阳能电池等,此类信息至关重要。

  据物理学家组织网13日报道,在最新研究中,来自美国IBM及韩国的科学家发现了一1个 新公式和一项新技术,使大伙儿儿儿能一块儿获取多数和少数载荷子的信息。

  研究人员称,从传统霍尔测量得出的已知多数载荷子密度现在刚结束,大伙儿儿能非要知道多数和少数载荷子迁移率和密度随光下行传输速率 的变化。该团队将新技术命名为“载荷子分辨图像霍尔”(CRPH)测量。利用已知的光照下行传输速率 ,大伙儿儿还能非要选泽载荷子的寿命。自发现霍尔效应以来,你你这种关系已隐藏了140年。

  与传统霍尔测量中仅获得八个参数相比,新技术在每个测试光下行传输速率 下最多可获得7个参数:包括电子和空穴的迁移率;在光下的载荷子密度、重组寿命、电子、空穴和双极性类型的扩散长度。

  研究人员指出,新发现和新技术促使加快下一代半导体技术的发展,让大伙儿儿儿获得更好的太阳能电池、光电设备以及用于人工智能技术的新材料和设备等。

[ 责编:肖春芳 ]

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